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英特尔抢攻先进封装 采新材料改善芯片互连

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  英特尔晶圆代工技术突破:迈向未来半导体新纪元

  在2024年IEEE国际电子元件会议上,英特尔晶圆代工发布了一系列技术突破,为半导体行业在未来十年的发展注入强劲动力。这些突破不仅提升了晶体管性能,还推动了芯片封装技术的变革,目标是满足高效能计算与AI时代对性能和能效的双重需求。

  材料创新:减材钌提升晶体管容量

  英特尔展示了全新的互连材料——减材钌。这种新型材料的应用,使晶体管容量提高了25%,大幅优化了芯片内部的互连性能。

  这一技术的关键意义在于,它能够有效缓解因芯片持续缩小带来的互连密度挑战,同时展示了英特尔在半导体材料创新领域的领先地位,为延续摩尔定律提供了新的技术支持。

  先进封装技术:异质整合带来革命性进步

  在封装技术方面,英特尔通过异质整合解决方案实现了芯片组装效率的100倍提升,标志着封装性能迈入全新高度。这项技术极大提高了芯片对芯片的吞吐能力,为满足现代计算系统对高带宽和低延迟的需求提供了创新解决方案。

  同时,这一进展为AI应用的超快速数据处理奠定了基础,使未来高性能芯片的开发成为可能。

  下一代晶体管技术:RibbonFET与2D FET模块

  英特尔在下一代晶体管设计上取得了重要突破,包括:

  RibbonFET CMOS技术:基于硅的环绕式栅极(GAA)微缩技术,提升了晶体管的效率和性能。

  2D FET模块:优化的栅极氧化物模块,助力更高晶体管密度的实现。

  这些技术将支持半导体行业在2030年前实现单芯片容纳1兆晶体管的目标,为未来小型化、高性能的芯片设计铺平道路。

  PowerVia技术:后摩尔时代的关键驱动力

  英特尔强调了PowerVia芯片背部供电技术在未来半导体发展的重要性。这项技术优化了芯片的电源传输路径,有效缓解了互连密度压力,为持续微缩提供了支持。

  PowerVia技术与英特尔其他创新相结合,为延续摩尔定律并推动半导体产业进入AI和高效能计算时代提供了全新的可能性。

  全球供应链战略:支持平衡与韧性

  英特尔晶圆代工资深副总裁Sanjay Natarajan表示,这些技术突破不仅展示了英特尔对定义未来半导体发展蓝图的承诺,还体现了美国《芯片法案》带来的支持。在全球供应链不确定性增加的背景下,英特尔将继续在提升供应链多样性和韧性方面发挥重要作用。

  迈向2030:AI驱动的半导体新纪元

  随着AI、物联网和高效能计算对半导体提出更高要求,行业正在加速向更高能效和更低成本的技术方向迈进。英特尔通过材料创新、封装技术提升、晶体管微缩等多项突破,为未来十年的发展做好了充足准备。

  尤其是在2030年实现单芯片1兆晶体管这一目标上,英特尔的技术布局将为行业带来深远影响。同时,这些创新还将驱动AI应用的全面普及,助力实现更高效、经济的全球科技生态。

  英特尔正在通过不断扩展技术边界,引领全球半导体行业迈向新的高峰,巩固其在未来产业中的核心地位。

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