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富鼎中高压MOS导入散热厂 搭伺服器规格升级潮

中国基金网

  MOSFET 业者富鼎长期深耕中高压功率元件市场,随着服务器电源功率不断攀升,市场对中高压MOSFET需求强劲,富鼎产品目前已导入散热大厂中,相关业绩今年呈现倍增,预计在散热规格持续升级下,明年相关业绩将续增,成为明年成长动能。

  辉达最新AI芯片GB200功耗大增,单颗就超过1000瓦,也必须采用更强效的散热解决方案,带动散热规格大升级,除了导入更多风扇外,也加入液冷解决方案,推升散热相关供应链迎来爆发成长期。

  富鼎是台厂少数专注在中高压的MOSFET业者,过去几年已切入服务器供应链,直接供货给散热与电源大厂,今年受惠散热规格升级,富鼎相关业绩也较去年呈现倍增。

  展望后市,业界多看好,随着英伟达下世代晶片功耗更高,对散热需求只增不减,富鼎也可望续搭散热商机,带动相关业绩续扬,此外,随着现阶段GPU/CPU效能大跃进,功率元件也逐步走向高整合型DR MOS,富鼎也正携手伙伴共同开发,瞄准下世代商机。

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