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传三星8层HBM3E通过英伟达验证、估Q4开始供货

中国基金网

  市场传出,三星电子第五代高带宽内存晶片「HBM3E」已通过英伟达验证,可用于AI处理器。

  路透社6日独家引述未具名消息人士报导,三星、英伟达尚未针对通过验证的8层堆叠HBM3E敲定供应合约,但双方应该很快就会签约,预计今(2024)年第四季就会开始供货。

  不过,据消息,三星的12层堆叠HBM3E仍未通过英伟达验证。 三星、英伟达都不愿发表评论。

  5月曾有消息传出,过热及功耗问题会影响三星第四代HBM芯片HBM3.以及三星和对手预定今年上市的第五代HBM3E。

  辉达最近已认证,三星的HBM3可用于复杂度没那么高、专为中国市场开发的处理器。 三星7月预测,第四季HBM营收约60%将由HBM3E贡献。

  目前全球仅有三家HBM制造商,分别是SK海力士、美光及三星。 SK海力士一直是英伟达主要的HBM芯片供应者,美光也说会供应HBM3E给英伟达。

  英伟达必下单三星HBM? 韩媒:CoWoS因中间层受限

  韩媒先前曾分析,三星HBM终将获得英伟达认证,先进封装的中间层短缺是主因。

  韩国媒体《The Elec》6月20日报导,台积电「CoWoS」先进封装产能短缺,是英伟达「H100」、「H200」生产遇瓶颈的主因。 虽然台积电正在积极扩充CoWoS产能,封装过程需要的硅中间层情况却不同。

  台积电由于产能短缺,决定转向联电等业者采购中间层,但这仅能解决短期内的问题。 新的封装技术,像是台积电的CoWoS-L (只在必要区域局部置入中间层)未来必须商业化,但其技术精密度等同前端制程。

  The Elec直指,中间层供给短缺,很可能是英伟达最终势必得将部分订单下给三星的理由。 三星是少数几家能够自行设计、生产中间层的芯片制造商,该公司还同时拥有HBM、2.5D封装产能。 三星6月稍早也强调,该公司是唯一一家能同时提供内存、中间层、封装等一站式服务的业者。

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