SK海力士传拟赴美造HBM先进封装厂、2028年开张
中国基金网
英伟达高带宽记忆体关键供应伙伴SK海力士,传出将赴美国印第安纳州投资约40亿美元,打造一座先进芯片封装厂。
华尔街日报26日独家引述未具名消息人士报导,SK海力士预定的厂址邻近普渡大学,预料将创造800~1000份工作机会。 普渡大学的半导体及电子工程学系规模在全美名列前茅。
消息人士称,州政府、联邦政府都会向SK海力士提供抵税优惠等形式的补助,资助这项建厂计划,预计2028年就可开始运作。 SK海力士发言人称,公司正在审视美国先进芯片封装投资案,但目前尚未做出最终决定。
先进封装厂是拜登政府芯片法重视的其中一环,企业向商务部申请补助的最后截止日为4月12日。 SemiAnalysis首席分析师Dylan Patel表示,SK海力士的工厂有望成为全美第一座HBM大规模封装厂。
根据SemiAnalysis最新估计,SK海力士的HBM位市占约为73%,三星电子居次、达22%,而美光排名第三、约为5%。
美官员:降对台依赖
英国金融时报2月1日就曾引述未具名消息人士报导,SK海力士传出选定印第安纳州打造先进封装厂,目标是降低美国对台湾先进芯片的依赖。 SK海力士位于印第安纳州的最新封装厂主要专精于3D堆叠工艺、以打造HBM,未来会整合进辉达的绘图处理器。 目前SK海力士是在韩国生产HBM,然后运送至台湾,交给台积电整合进辉达GPU。
韩国产业经贸研究院研究员Kim Yang-paeng指出,若SK海力士在美国直接打造HBM内存的先进封装设备,加上台积电的亚利桑那州晶圆厂,意味着英伟达将能直接在美国生产GPU。
一名美国官员对金融时报表示,概念就是要在美国境内生产更多先进芯片、降低对台湾的依赖。 考虑到AI,这项行动至关重要。 」