传三星3纳米良率翻3倍 还是惨输台积电

三星电子努力提高3纳米GAA制程良率的举动众所周知，消息人士提供了最新进展，声称三星已经成功将良率提高到原来的3倍，尽管如此，但三星的3纳米良率仍落后给台积电。

科技网站《WccfTech》引述市场人士Revegnus看法称，三星的3纳米制程良率一开始虽只有10~20%，但最近已拉升至3倍以上。 也就是三星现在3纳米制程良率为30~60%之间。

Revegnus称，虽然出现了进步，但和使用FinFET制程的台积电相比，三星的3纳米良率依旧较低。 不过三星对第二代3纳米GAA制程有着高期望，看好其效能、功耗及面积的前景，有谣言甚至暗示相当于台积电的N3P。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率、逻辑区域，都比4纳米FinFET改善20~30%。

《WccfTech》称，正如之前报道提到的，三星必须进一步提高良率到70%，才能重拾高通等之前客户的信心。