三星3纳米良率大幅提升3倍 但比起台积电仍偏低

知名爆料者Tech_Reve在X平台发布文章，表示三星的3纳米良率最初徘徊在10-20%左右，但最近已最近已提高了三倍以上。 不过，与仍采用 FinFET 技术的台积电相比，这个数字仍然较低。

文章称，三星对第二代3纳米技术抱有很高的期望，实际功耗、效能和面积指标的报导非常有希望，有传言称其与台积电N3P制程相当。

知情人士透露，三星第二代3纳米制程与4纳米FinFET技术相比，功率效率和逻辑面积增加了20-30%。

此前报道称，三星计划今年下半年量产第二代3纳米制程。

三星电子DS部门下属Foundry业务部负责人崔时荣表示，三星的第二代3纳米和首代2纳米是两个不同的工艺，此前收到日本AI企业Preferred Networks的2纳米AI芯片订单，也是三星的首个2纳米订单。

过去，三星号称已于2022年6月，成为全球第一家量产3纳米制程芯片公司，领先于竞争对手台积电近六个月。 不过，由于良率不佳，产品未能符合客户要求。