英伟达虽已在测试三星的HBM 但SK海力士仍遥遥领先

据韩国《朝鲜日报》报道，英伟达首席执行官黄仁勋虽然已经开始测试三星的 HBM3E，但还未真正开始使用，SK 海力士仍是这一领域的领先者。

报道称，在「GTC 2024」上，黄仁勋参观了合作公司的展位。 其中，参观三星电子展位并观看展示的 HBM3E 时，黄仁勋留下了一个手写的牌子，上面写着「Jensen Approved」。 三星电子美洲区副总裁Jinman Han在LinkedIn上发布了一张照片，并写道：「黄仁勋亲自对三星的HBM3E盖章表示认可。 」

不过，在此前一天，黄仁勋被问及三星电子的HBM时，他回答说：「我们还没有使用它，我们正在对其进行资格认证。 」

目前，SK 海力士供应了英伟达AI半导体中使用的大部分HBM产品，美光也从去年开始供应部分产品。 据了解，三星电子的HBM验证比竞争对手落后1年左右。

报导引述一位半导体产业官员表示，「由于HBM 是英伟达 AI 半导体的核心零件，这可能是一种鼓励制造商的尝试。 很难理解这到底意味着什么，但向英伟达供应HBM3E的公司之间的竞争非常激烈。 」

而根据ChosunBiz对三星电子和SK海力士的竞争力比较后指出，虽然整个HBM市场由SK海力士和三星电子瓜分，但SK海力士处于领先地位，在主流第四代HBM(HBM3)领域占据了90%以上的市场份额(根据市场研究机构 TrendForce的数据)。

HBM 的平均售价比 DDR4 DRAM 高出约 5 倍，SK 海力士去年第四季在全球半导体内存领域迅速恢复获利，很大程度上归功于 HBM。

报道称，第三代 HBM (HBM2E) 是两家公司在 HBM 市场上的重要分界点。 SK 海力士在HBM2E中抢先引进了TSV制程技术中，最具技术挑战性的Mass Reflow Molded Underfill(MR-MUF)技术。 SK海力士专有的MR-MUF技术是一种将保护材料插入堆叠芯片之间，并一次固化的工艺。 它比三星电子和美光科技使用的制程(逐个堆叠时在每个芯片上覆盖一层薄膜状材料)更有效率、散热更强。