抢救HBM良率 传三星吞下自尊、跟进对手先用技术
市场传出，三星电子打算改采SK海力士使用的芯片制造技术，在日益白热化的高频宽内存竞赛中追赶竞争对手。
路透社12日独家报道，生成式AI大受欢迎，带动HBM需求跳增。 然而，就在SK海力士、美光先后与英伟达敲定HBM供应协议之际，三星却意外缺席。 据悉，三星的HBM3至今仍未通过英伟达的质量测试。
分析师及业界人士相信，三星坚持使用非导电性胶膜技术，因而面临一些生产问题，是进度落后的原因之一。 相较之下，SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充技术，解决NCF弱点，也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。
不过，消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的芯片制造设备。 一名人士说，「三星必须设法提升HBM良率...... 改采MUF对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进SK海力士。」
数名分析人士直指，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率却已来到60~70%。 据消息，三星也在跟数家材料商接洽、希望采购MUF材料，当中包括日商长濑产业株式会社。 消息透露，三星打算在最新款HBM芯片同时使用NCF、MUF两种技术。
美光已于2月26日宣布，开始量产高频内存HBM3E，将应用于英伟达最新AI芯片H200 Tensor Core绘图处理器。 H200预定2024年第二季出货，取代当前算力最强大的H100.
HBM良率低、传难以通过英伟达质量测试
Wccftech 3月4日引述韩国媒体DealSite报导，美光、SK海力士等HBM厂商面临良率低迷窘境，为了通过英伟达次世代AI GPU的品质测试，彼此正在激烈竞争。 消息显示，HBM的整体良率目前约在65%左右，若业者试图拉高良率、产量就会随之下降。
HBM良率高低，主要跟堆叠架构的复杂程度有关，这牵涉到多重内存阶层，及作为各层连结之用的直通硅晶穿孔技术。 这些复杂技术增加工艺出现缺陷的几率，可能因此让良率低于设计较简单的存储器。 此外，由于HBM一旦有一个芯片有缺陷，整个封装都需丢弃，因此产量很低。
