AI芯片战落后 三星拟改采MUF技术

路透引述五位知情人士说法称，三星电子计划使用由竞争对手SK海力士主导的芯片技术，企图在生产人工智能高阶芯片的竞争行列中迎头赶上。

随着生成式 AI 的应用日益普及，对高带宽记忆体芯片的需求持续成长。 不过，与同业SK海力士以及美光不同的是，三星一直没有和AI芯片领导者英伟达达成任何新的HBM供应交易。

分析师和产业观察人士认为，三星之所以在竞争中落后，其中一项原因是该公司坚持使用名为「非导电性胶膜」的芯片制程技术，这会导致一些生产问题。 相较之下，SK 海力士率先导入「大规模回流模塑底部填充」 技术，来解决NCF的弱点。

然而，三位消息人士表示，三星近期下单采购处理MUF技术的芯片设备。 其中一位消息人士说：「三星必须采取行动来提高HBM产量，采用MUF技术对三星来说有点像抛下自尊的感觉，因为它最终还是依循SK海力士率先采用的技术。 」

几位分析师表示，三星的HBM3芯片生产良率约为10%-20%，SK海力士的HBM3生产良率约为60%-70%。 后者领先其他公司成功转向MUF技术，成为第一家向英伟达供应HBM3芯片的供应商。

一位消息人士说，三星还在和包含长濑产业在内等材料供应商洽谈采购MUF材料，且使用MUF技术的高阶芯片，最快要到明年才能实现量产，因为三星必须先进行测试。

三位消息人士还称，三星计划在最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。

三星表示，其内部开发的NCF技术是HBM产品的「最佳解决方案」，将用于新的HBM3E芯片中。 三星透过声明表示，公司正在按计划推进HBM3E的产品业务。

针对上述报道，英伟达和长濑拒绝置评。

三星计划使用MUF技术的决定，突显出其在AI芯片竞争中面临着愈来愈大的压力。 研调机构TrendForce数据显示，受惠于AI相关需求，今年HBM芯片市场规模将翻倍至近90亿美元。

KB Securities 分析师Jeff Kim表示，SK海力士今年在HBM3与更先进的HBM产品的市占率预估将超过80%。

此外，美光也在上月加入HBM芯片竞赛，宣布其最新的HBM3E芯片将获英伟达采用。 知情人士透露，三星的HBM3系列芯片目前尚未取得英伟达的供货资格。

三星在AI芯片竞赛中的落后表现也引起投资人注意。 该股今年迄今已下跌7%，落后于SK海力士和美光，后两者分别上涨17%和14%。