韩媒：美光、SK海力士拼HBM良率 以通过英伟达测试

据《wccftech》引述韩媒《DealSite》报导，英伟达 的品质测试似乎让 HBM 制造商遇到了困难，因为与传统内存产品相比， HBM 良率明显较低。

良率问题很常见，主要与半导体晶圆有关，以单一硅晶圆生产的半导体芯片的数量来衡量。 将良率维持在最佳水准一直是台积电和三星代工等公司面临的一个巨大问题和任务，但这个问题似乎也蔓延到了 HBM 行业。

韩媒报道称，美光和 SK 海力士等厂商在英伟达下一代 AI GPU 资格测试的竞争中正面对决，而且似乎差距不大，良率是他们的阻碍。

在HBM领域，良率主要与堆栈架构的复杂性相关，该架构涉及多个储存层和用于层间连接的复杂硅通孔。 这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会，与更简单的内存设计相比，可能会降低成品率。

制作过程中，如果其中一颗HBM芯片被证明有缺陷，则整个堆叠都会被丢弃，这表明制造过程有多复杂。

消息人士称，目前HBM内存的整体良率在65%左右。 其中，美光和SK Hynix似乎在这场竞争中处于领先地位，据报道，美光已开始为英伟达的H200 AI GPU生产HBM3E，因为它已经通过了Team Green设定的认证阶段。

另据报道，SK海力士副社长金起台2月21日则在官方落格指出，虽然外部的不稳定因素仍在，但今年存储器市场可望逐渐加温。 其中原因包括，全球大型科技客户的产品需求恢复。 此外，PC或智能手机等AI设备对于人工智能的应用，不仅会提升HBM3E销量，DDR5、LPDDR5T等产品需求也有望增加。

金起台表示，今年旗下HBM已全数售罄。 虽然2024年才刚开始，但公司为了维持市场领先地位，已开始为2025年准备。