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每台要价百亿!ASML宣布新款EUV设备打出第1道光

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ASML与英特尔本周宣布,达成新一代极紫外光微影设备的重要里程碑,其最先进High NA EUV曝光机Twinscan EXE:5000的主要组件,已经启动,也就是首度打开光源,使光线到达晶圆上的抗蚀层,并开始运作,这表示光源和反射镜已正确对准。

科技网站《Tomshardware》报导,ASML的High-NA EUV光刻机将提供0.55数值孔径的投影光学器件,单次曝光分辨率可低至8纳米,比单次曝光13.5纳米分辨率的典型Low-NA EUV还低。 第一套系统目前安置在ASML荷兰Veldhoven实验室,第二套系统正在英特尔奥勒冈厂组装。

ASML 发言人 Marc Assinck 表示,就技术而言,这种「第一束光」实际上是「晶圆上第一束光」,表示光源已经开始工作,现在我们在晶圆上「抗蚀」光子。 ASML 专家仍在荷兰校准 High-NA 工具,因此该机器尚未打印出第一个测试图案。

英特尔技术开发总经理Ann Kelleher在加州圣荷西举行的SPIE曝光会议上,首度透露这一进展,预计这些新系统将主要用于制程开发。

报道称,这项里程碑被称为「硅片上的第一道曙光」,表明ASML和英特尔在推进半导体制造技术迈出重要的一步,预计未来几年英特尔、台积电和三星等,都将采用High-NA EUV光刻技术,英特尔则已宣布在14A工艺采用此设备。

ASML的High NA EUV设备,大小约一辆双层巴士、重量约两架空客A320客机,价值高达3.5亿欧元,约台币118亿元,ASML称已获得10到20笔订单。

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