美光开始生产内存芯片 用于英伟达最新AI芯片

美光科技开始大规模生产用于英伟达最新人工智能芯片的高带宽储存半导体，该公司周一盘前股价上涨逾4%。

美光表示，HBM3E(高带宽内存3E)的功耗将比竞争对手产品低30%，并有助于满足对为生成型AI应用提供动力的芯片不断增长的需求。

英伟达将在其下一代H200图形处理单元中使用该芯片，预计将于第2季开始发货，并超越当前的H100芯片; 后者为该芯片设计公司带来了收入的大幅增长。

由英伟达供应商SK Hynix领导的市场对用于AI高带宽记忆体芯片的需求，也引发投资人对美光能够经受住其他市场缓慢复苏的希望。

HBM 是美光科技最赚钱的产品之一，部分原因在于其构造所涉及的技术复杂性。

该公司先前曾表示，预计2024财年HBM营收将达到「数亿」美元，并在2025年继续成长。