三星电子为下一代3D DRAM开发开设新的研究实验室

业内消息人士周日表示，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司在美国建立了一个新的研究实验室，专注于开发下一代三维DRAM。

据消息人士透露，新实验室由总部位于硅谷的美国设备解决方案公司运营，该公司负责监督三星在美国的半导体生产，并将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。

今年10月，这家韩国科技巨头表示，它正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构，允许更大的单芯片容量，可以超过100千兆位。

三星于 2013 年在业界首次成功将 3D 垂直 NAND 闪存芯片商业化。