英特尔携联电布局晶圆代工研调：此为双赢局面
英特尔与联电正式宣布合作开发12纳米制程，研调机构TrendForce认为，此合作案借由联电提供技术服务，英特尔提供现成工厂设施，采双方共同营运，为双赢局面。
研调看好，此举将帮助英特尔衔接IDM转换至晶圆代工的生意模式，增加制程调度弹性并获取晶圆代工营运经验，联电也不需负担庞大的资本支出，即可灵活运用FinFET产能，从成熟制程的竞局中另谋生路，同时藉由共同营运英特尔美国厂，间接拓展工厂国际分布，分散地缘政治风险。
研调表示，双方为减少厂务设施的额外投资成本，直接采用现有设备，针对12nm FinFET制程的合作案，也选择以英特尔现有相近制程技术的Chandler/Arizona Fab22/32为初期合作厂区，转换后产能维持原有规模，双方共同持有。
研调预估，双方此次平均投资金额相较购置全新机台，可节省逾8成费用，仅包含设备机台移装机的厂务二次配管费，以及其相关小型附属设备等支出。
研调分析，双方合作案前，英特尔长期以制造CPU及GPU等核心芯片为主，同时拥先进制程技术，2021至2022年先后宣布IDM2.0及并购高塔半导体计划，欲积极进入晶圆代工产业，但执行受阻。
联电则长期投入主力制程28/22纳米，并有高压制程等特殊技术优势，但在中国厂大量投入成熟制程趋势下，迫使联电重新思考跨入FinFET世代的必要性，扩产计画又须考虑FinFET架构的高额投资成本，导致决定举棋不定。
合作案宣布后，联电可提供12纳米部分IP与协作开发，也会协助英特尔洽谈晶圆代工生意，联电不仅可利用现成FinFET产能，也不需摊提庞大的投资成本，又可在中国厂成熟制程的激烈竞局当中脱颖而出。
英特尔则以提供现有工厂设施，除可获得晶圆代工市场经验，扩大制程弹性及多元性，也可集中资源于3纳米、2纳米等更先进制程开发。
研调预期，若双方后续合作顺利，Intel可能考虑未来再将1至2座1X纳米等级的FinFET厂区与联电共同管理; 推测相近制程的Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C为可能的候选厂区。
不过，联电做为主要技术IP提供商UMC，其14纳米自2017年至今尚未正式大规模量产，12纳米也仍在研发阶段，预计2026年下半年将进入量产; 因此双方的合作量产时程暂订在2027年，FinFET架构技术稳定性仍待观察。
整体而言，研调认为，在成熟制程深耕多年的联电，与拥有先进技术的英特尔共同合作下，双方除了在10纳米等级制程获得彼此需要的资源，未来在各自专精领域上是否会有更深入的合作值得关注。
