联电携手英特尔开发12奈米制程 晶圆代工进入新竞合时代

联电和英特尔今日共同宣布，双方将合作开发12纳米制程平台; 此次将由联电提供12纳米FinFET制程技术，在英特尔美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，预计在2027年投入生产。

业界认为，英特尔近年积极进军晶圆代工业，但过往因大多生产自家处理器，产品架构以高功耗、高效能的x86为主，但市场对低功耗需求强劲，英特尔也决定找上联电，以生产Arm架构芯片的FinFET制程为主要合作目标，也象征晶圆代工业进入新竞合时代。

联电指出，这项长期合作将结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务总经理 Stuart Pann 表示，几十年来，台湾一直是亚洲和全球半导体及广泛的技术生态系的重要成员，英特尔致力于与联电般的台湾创新企业合作，为全球客户提供更好的服务。 英特尔与联电的策略合作进一步展现了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在2030年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔进行在美国制造的12纳米FinFET制程合作，是公司追求具成本效益的产能扩张，和技术节点升级策略的重要一环，此举并延续我们对客户的一贯承诺。

王石看好，这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。 联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方的互补优势，以扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

此项12纳米工艺将善用英特尔位于美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。 受惠于联电在制程上的领导地位，以及为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。 新的制程将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并优化利用率。

联电与英特尔将致力满足客户需求，通过生态系合作伙伴提供的电子设计自动化和知识产权解决方案，合作支持12纳米工艺的设计实现。 此12纳米制程预计在2027年投入生产。

英特尔在美国和全球已投资和创新超过55年，除了爱尔兰、德国、波兰、以色列和马来西亚之外，也在美国的俄勒冈州、亚利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州设立或规划制造基地，以及进行投资。

英特尔晶圆代工服务在2023年有重大进展，与客户建立良好的互动，包括采用Intel 16、Intel 3及Intel 18A制程技术的新客户，拓展其持续成长的晶圆代工生态系。 IFS预期在2024年将继续取得进展。

四十多年来，联电是全球汽车、工业、显示器和通讯等关键应用芯片的晶圆代工

制造首选。 联电在成熟和特殊制程技术上持续引领创新，最近二十多年，成功地

将制造基地扩展到亚洲各国。 联电是超过400家半导体客户的重要晶圆制造伙伴，专精于支援客户实现产品高良率，并维持领先业界的产能利用率。