工研院携台积电开发SOT-MRAM 挥军AI/HPC市场

工研院17日宣布，携手台积电开发自旋轨道转矩磁性存储器阵列芯片，搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 的百分之一，可应用在高效能运算 、AI 及车用芯片等。

经济部长期以来科专计划补助工研院，建立深厚的前瞻记忆体研发能量，此次工研院与台积电成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议之「国际电子元件会议」共同发表论文，展现次世代内存技术的研发能量，维持台湾半导体在全球产业不可或缺的地位。

经济部产业技术司表示，随着AI、5G与AIoT时代来临，需要快速处理大量资料，因此更快、更稳、功耗更低的新世代存储器成为重要的关键。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院和台积电去年已在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」共同发表论文。

双方今年更开发出兼具低功耗、10奈秒高速工作等优点的SOT-MRAM单元，并结合电路设计完成内存内运算技术，进一步提升运算效能，跳脱MRAM已往以存储器为主的应用情境，可满足未来AI与HPC世代需求。