ASML明年推出2纳米芯片制造曝光机 要价3亿欧元

据韩国科技媒体SamMobile报导，半导体制造设备大厂ASML将在未来几个月内推出生产2纳米芯片的设备，且数值孔径(NA)光学性能从0.33提高到0.55.

据《芯榜 +》报导，相较于DUV浸入式曝光系统(193nm)，EUV曝光系统使用的极紫外光波长(13.5nm)显著降低，多图案DUV步骤可以用单次曝光EUV步骤代替，有助于芯片制造商继续向7纳米及以下更先进制程工艺推进，进一步提升效率，降低曝光成本。

目前EUV光刻机可以支援芯片制造商将芯片工艺推进到3nm左右，但芯片制造商如果要继续推进到2纳米，甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径的High-NA曝光机。

相较于目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55.可进一步提升分辨率。 根据瑞利公式，NA 越大，分辨率越高。

用于2纳米芯片的曝光机型号，为High-NA量产型EUV光刻机EXE：5200.将采用不同镜头系统，NA更大。 ASML发言人曾表示，EXE：5200是ASML下一代高NA系统，具有更高分辨率，可将芯片缩小1.7分之一，同时密度增加至2.9倍。

目前ASML官网列出的EUV光刻机仅有两款——NXE：3600D和NXE：3400C，均使用0.33 NA的反射式投影光学器件与13.5nm EUV光源，分别适用于3/5纳米和5/7纳米芯片制造。

据SamMobile报导，ASML计划明年生产10台2纳米芯片制造设备，而英特尔据传已经预订其中六台。

除了英特尔，台积电、三星、SK海力士等大厂也都在抢购ASML新一代高数值孔径High-NA EUV光刻机。

ASML最新High-NA EUV光刻机的价格将介于3亿至3.5亿欧元，目前热销的EUV光刻机单价则为1.5亿至2亿美元。