英特尔重回荣光？ 技术高层称明年量产2nm芯片

　　半导体产业的竞争日益激烈，英特尔高层近日表示，明年公司将生产2纳米芯片，若果真实现，那么英特尔将在2纳米的竞争中领先台积电数年。

　　在先前制程的推进上，英特尔多年来一直落后于台积电。 为了扭转这种局面，执行长Pat Gelsinger在2021年重返公司时，制定了积极的卷土重来战略。 其IDM 2.0战略包括在四年内经历五个节点，理论上这将让公司超越所有竞争对手，再次登上半导体制造的顶峰。

　　英特尔技术开发首席副总裁 Sanjay Natarajan 近日表示，「我们将在 2024 年进入量产 [其 2 纳米制程]，英特尔将再次引领小型化。」 这是该公司的一个大胆主张，但也意味着它仍然坚持其路线图。

　　据报道，英特尔采用的20A制程，预计将采用全新的RibbonFET晶体管，该晶体管将取代现有的FinFET架构并提供新的互连创新，其中一项称为PowerVia。 Arrow Lake将成为使用20A制程的最大产品系列之一。

　　如果它确实在2024年开始生产2纳米芯片，理论上该公司将处于该行业的前沿，因为台积电明年将刚开始凭借其最新的3纳米制程迈出步伐。 此外，台积电预计要到2025年才会开始2纳米生产，不过也有传言称可能会推迟到2026年。

　　三星也参与了这场竞争，并且已经表示预计将于2025年开始2纳米生产，这意味着英特尔也可能击败这家韩国芯片制造商。

　　英特尔在其半导体制造上，近年来在行业采用方面并没有取得太大成功，但情况似乎正在发生变化，特别是随着人工智能的涌入，市场正在不断发展。