英诺赛科递表港交所 拟于港交所主板上市

　　6月12日，港交所官网披露了英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)在港交所提交的上市申请，公司上市材料被正式受理，联席保荐人为中金公司(601995)和招银国际。

　　公开数据显示，英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，致力于氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计，公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。可再生能源和运算密集型应用的兴起一直在改变世界，该趋势导致对更高效更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。凭借公司不懈的创新和无可比拟的技术领先地位，公司设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模块。公司在广泛领域(包括消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心)为客户赋能。

　　公司的IDM模式让公司能够对设计、制造到测试的整个过程进行自主控制。通过统一营运架构，IDM模式提供无与伦比的协调及协同作用，同时确保公司功率半导体产品的质量。其提供稳定的生产能力，通过协同设计和工艺迭代实现快速创新，并支持有成本效益的扩张。通过控制整个运营过程，IDM模式使公司能够先于竞争对手快速了解并解决与产品应用相关的痛点，从而增强公司的先发优势。截至2023年12月31日，公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月10.000片晶圆。该能力使公司能够以稳定的供应抓住不断增长的市场机会，从而培养客户的信心。相较于6英吋硅基氮化镓晶圆，公司先进的量产技术亦使晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%，展示公司在氮化镓产品持续创新及商业化方面的强大成本优势和领导地位。