力积电Fab IP头款入袋 中介层预计年底前出货

　　力积电今日宣布，随着台、印合作建置12寸晶圆厂计划正式启动，公司已收到塔塔集团支付的Fab IP第一期款项，新厂设计作业将积极推进。 同时，通过客户验证的高容值中间层也将量产交货。

　　力积电表示，印度塔塔微电子公司已根据双方议定的Fab IP合约，将第一期款汇入公司帐户，公司也陆续派遣晶圆厂负责设计、建设的工程团队前往印度孟买塔塔微电子、古吉拉特邦的多雷拉科学园区，开始与塔塔集团的半导体团队对接，展开印度第一座12寸晶圆厂的设计以及建厂现址的实地勘察。

　　由于塔塔集团已宣称计划于2026年完成12寸晶圆厂的建设并投入量产，为配合这项积极的建厂时程，力积电将与塔塔微电子紧密合作，除派遣专业团队前往多雷拉厂区现地指导，也将在该公司铜锣新厂设置专区，协助培训塔塔微电子来台的员工，以加速后续技术移转、塔塔晶圆厂运营等作业。

　　力积电指出，随着印度新厂建设如火如荼推动，该公司也将根据合约载明的工程节点，分期收取相应的专业顾问、服务以及技术移转费用，甫收到的第一期签约金就是力积电Fab IP业务落实开展的重要里程碑，未来印度12寸晶圆厂的项目将为该公司带来获利。

　　另一方面，力积电也透露，由于国际大型科技公司积极建置AI算力，该公司定制的高容值中间层在通过客户验证后已进入备货阶段，将于今年底开始量产出货。

　　力积电近年大力发展的Wafer on Wafer晶圆堆叠技术，已获得大型合作伙伴认同，也开始投入量产四层DRAM晶圆堆叠产品，即将于明年运交给客户进行生产验证，以配合下游客户未来在edge AI应用的行销规划。